10-08-2013 14:40

Galaxy S5'e en az 128GB dahili hafıza!

Koreli teknoloji devi, 2014'de piyasaya sunacağı modeller için yeni bir ürün hazırladı...

Yücel KAHRAMAN

Mobil cihazların hızlı değişmesi, bu alana uygun teknolojilerin de gelişimine zemin hazırlamış oldu. Kompakt tasarımlar ve düşük enerji tüketim değerleri, her yeni teknolojinin öncelikli niteliklerinden biri haline geldi. Bu odaktaki gelişmelerde ortaya çıkan “Stacked” ya da “3D” olarak isimlendirilen 3D yongaların popülaritesi git gide artıyor.

 



Intel de Kullandı


Intel’in uzun bir süredir üzerinde çalışmakta olduğu ve Haswell işlemcilerinde kullandığı bu yapı, yongaların katmanlı bir şekilde ya da üst üste kümelenmiş şekillerde oluşturulması anlamına geliyor. Bu sayede düşük enerji tüketimi ve küçük boyutlar, tasarım aşamasında elde edilebilmekte.

 



V-NAND Teknolojisi


Bu alanda çalışmalar yapan bir diğer isim de Samsung. Teknoloji dünyasının devi, V-NAND olarak isimlendirdiği yeni yongalarını duyurdu. Bu yepyeni yongaların her 2 tarafı da bellek olarak kullanılmakta ve bu sayede fiziksel olarak küçük boyutlar ile daha büyük hafıza alanları oluşturulabilmekte.

 

 


Aynı zamanda daha hızlı ve çok daha dayanıklı olan bu yeni teknolojiye sahip yongaların her biri, 24 ayrı NAND modülden oluşmakta. Asgari olarak 128GB depolama alanına sahip bu bellekler, 1 terabyte’a kadar alan sağlayabilmekte. Böylesine büyük kapasiteye ve hıza rağmen yalnızca microSD bellek kartı yuvası kadar bir alanın işgal edilmesi de işin en ilgi çekici tarafı.

 



Bu Harika Teknoloji Galaxy S5 ve Note 4’te Yer Alabilir


SSD disklerde de bu seneden itibaren kullanılmaya başlanacak olan V-NAND yongalar, mobil cihazlarda da 2014'ün başından itibaren kullanıma hazır olacak. 300’den fazla patent ile korunduğuna dikkat çekilen V-NAND teknolojisinin gelecek sene üst düzey Samsung modellerinde (Galaxy S5, Galaxy Note 4 gibi) yer alması kuvvetle muhtemel.




Yazıya yapılan yorumlar


Sen de yorum yap... (0)

Facebook Yorumları

İlgili Etiketler

Kullanıcı Girişi